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眾所周知，在目前的芯片制造工藝中，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)是必不可少的兩個(gè)重要工具。

如果從所有的半導(dǎo)體設(shè)備的成本來看，光刻設(shè)備占其中的20%，而蝕刻設(shè)備占其中的23%，兩者占其中的43%的比例，足以證明光刻--蝕刻有多重要了。

光刻與蝕刻也是成套使用的，光刻工藝后，就是蝕刻工藝，缺一不可，不可替代。

(資料圖)

而光刻機(jī)方面，國(guó)內(nèi)的技術(shù)很落后，這個(gè)大家都清楚的。但刻蝕機(jī)方面，國(guó)內(nèi)的技術(shù)可不差，完全是國(guó)際先進(jìn)水平。

之所以這么強(qiáng)，這是因?yàn)橐患夜荆蔷褪侵形雽?dǎo)體，由尹志堯博士于2004年創(chuàng)立。

在創(chuàng)立中微半導(dǎo)體之前，尹志堯博士曾在英特爾、泛林、應(yīng)用材料等企業(yè)均工作過，積累了大量的經(jīng)驗(yàn)、技術(shù)和人脈。

按照媒體的說法，尹志堯個(gè)人在半導(dǎo)體行業(yè)擁有86項(xiàng)美國(guó)專利和200多項(xiàng)各國(guó)專利，被譽(yù)為“硅谷最有成就的華人之一”。

后來他看到中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)相對(duì)落后，于是在2004年的時(shí)候，他帶著錢，帶著一批精英人才回國(guó)（據(jù)稱第一批是15個(gè)），創(chuàng)辦了中微，誓要打破國(guó)外的壟斷。

在2007年的時(shí)候，中微研發(fā)出了第一代介質(zhì)刻蝕機(jī)，并且全球首次采用可單臺(tái)獨(dú)立操作的雙反應(yīng)臺(tái)，效率甚至比國(guó)外同類產(chǎn)品還要高30%。

然后中微不斷的努力，中微的刻蝕機(jī)技術(shù)不斷的進(jìn)步，達(dá)到了全球最先進(jìn)的水平，目前已經(jīng)被用于某晶圓廠的3nm芯片生產(chǎn)線中。

而近日，中微更是表示，中微在中國(guó)電容耦合等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備市場(chǎng)的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從去年10月的24%增至60%。在電感耦合等離子體（ICP）工具市場(chǎng)，其份額可能會(huì)從幾乎為零上升到75%。

合計(jì)來看，中微今年在國(guó)內(nèi)的刻蝕市場(chǎng)份額，可能提升至60%，而之前占據(jù)主導(dǎo)地位的美國(guó)泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料等，全部被中微打的節(jié)節(jié)敗退了。

接下來，希望其它國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備，特別是光刻機(jī)，也能夠像中微的刻蝕機(jī)一樣，達(dá)到全球先進(jìn)水平，實(shí)現(xiàn)5nm、3nm，那么中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)，就再也不怕美國(guó)卡脖子了。

原文標(biāo)題 : 國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)大進(jìn)步：達(dá)到3nm，拿下國(guó)內(nèi)60%份額，逼退美企